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授業科目名(和文)
[Course]
量子効果デバイス論
授業科目名(英文)
[Course]
Quantum Functional Devices
学部(研究科)
[Faculty]
情報系工学研究科
学科(専攻)
[Department]
システム工学専攻
担当教員(○:代表教員)
[Principle Instructor(○)
and Instructors]
○徳田 安紀  自室番号(2309)、電子メール(tokuda**c.oka-pu.ac.jp)
※利用の際は,** を @に置き換えてください
単位数
[Point(Credit)]
前期 2単位
対象学生
[Eligible students]
システム工学専攻1?2?3年次生
授業概略と目標
[Course description and Objects]
精密結晶成長技術や超微細加工技術も含めたナノテクノロジの進展により量子井戸,量子細線および量子ドットや周期性を取り込んだ超格子構造などが容易に作製できるようになり,量子閉じ込め効果やトンネル効果などが高い制御性をもって利用できるようになった.これらは,高移動度トランジスタや量子井戸レーザに代表されるように半導体電子デバイスや光デバイスに劇的な進歩をもたらした.本講義では,スケーリング則に基いた大規模集積回路の高性能化が物理的限界に近づきつつあることを踏まえ,"Beyond CMOS", "More than Moore", "Post Silicon", "Silicon Photonics" などの観点から量子化機能のデバイス応用について考える。
到達目標
[Learning Goal]
1. 半導体デバイスにおける量子効果について理解を深める。
2. 量子効果を利用した光デバイスについて独自に考察できるレベルになる。
3. 量子効果を利用した電子デバイスついて独自に考察できるレベルになる。
履修上の注意
[Notes]
半導体に関する基礎知識を有していること、量子力学の概念を理解していることが望まれる。
授業計画とスケジュール
[Course schedule]
 1. 量子効果デバイスとはⅠ
     量子力学と量子効果デバイスについて
 2.量子効果デバイスとはⅡ
     半導体と量子効果デバイスについて
 3. 量子効果デバイスの研究開発の歴史Ⅰ
     2000年以前の電子デバイス関連の研究開発について
 4. 量子効果デバイスの研究開発の歴史Ⅱ
     2000年以前の光デバイス関連の研究開発について
 5. 量子効果デバイスの研究開発の歴史Ⅲ
     2000年以降の電子デバイス関連の研究開発について
 6. 量子効果デバイスの研究開発の歴史Ⅳ
     2000年以降の光デバイス関連の研究開発について
 7.量子効果デバイスの研究開発の歴史Ⅴ
     その他の量子効果デバイスの研究開発について
 8. 最先端の量子化機能デバイスⅠ
     最先端の電子デバイスについて
 9. 最先端の量子化機能デバイスⅡ
     最先端の光デバイスについて
10.最先端の量子化機能デバイスⅢ
     ナノテクノロジと量子化機能について
11. 将来の光電子デバイスⅠ
     Post Siliconと量子化機能について
12. 将来の光電子デバイスⅡ
     Beyond CMOSと量子化機能について
13.将来の光電子デバイスⅢ
     More than Mooreと量子化機能について
14.将来の光電子デバイスⅣ
     Silicon Photonicsと量子化機能について
15. 総括
     全体のまとめと将来予想
成績評価方法と基準
[Grading policy (Evaluation)]
レポートおよび平常点などにより総合的に評価する。
教科書
[Textbook]
教科書:指定しない
自主学習ガイド及び
キーワード
[Self learning]
必要な基礎知識に関しては復習を行っておくこと
関連技術に関する研究開発動向に関心をもつこと
キーワード:量子効果,Post Silicon, Beyond CMOS,More than Moore,Silicon Photonics
開講年度
[Year of the course]
28